Алферов жорес иванович вклад в мировую науку. Жорес алферов - биография, информация, личная жизнь

Почему российские ученые не получают Нобелевских премий, должны ли преподаватели заниматься наукой, стоит ли оценивать ученых по публикациям и чем опасны цифровизация и криптовалюты, рассказал в интервью изданию Indicator нобелевский лауреат, академик РАН Жорес Алферов.

— Жорес Иванович, прошло четыре месяца, как РАН возглавил Александр Сергеев. На выборах вы поддерживали другого кандидата — Геннадия Красникова. Как вы оцениваете работу нового руководства Академии?

— Прежде всего хочу сказать, что, кого бы мы ни выбрали, новому руководителю Академии наук все равно было бы работать необычайно тяжело по очень простой причине. Успешное развитие науки возможно только при одном условии. Наука должна быть прежде всего востребована экономикой и обществом. Это главное. Если наука востребована экономикой и обществом, тогда даже правительство, политическое руководство может совершать очень крупные ошибки. В качестве примера ошибки, которая нанесла огромный ущерб развитию нашей науки, нашей биологии, я могу назвать лысенковскую сессию 1948 года, движение против современной генетики и то, что тогда обозвали менделизмом-морганизмом. Это была крупнейшая ошибка, но ее даже в то время как-то удавалось исправлять.

Безусловно, были напрасно политизированы многие направления, в том числе и экономика, и слишком все подводилось под требования марксизма-ленинизма. При всем этом выполнялось главное условие: наука была нужна нашей экономике и обществу. И поэтому она успешно развивалась. Академия наук СССР была признана во всем мире как крупнейшая и ведущая научная организации. Президенты Академии Сергей Иванович Вавилов, Александр Николаевич Несмеянов, лучший президент за всю историю Академии Мстислав Всеволодович Келдыш, Анатолий Петрович Александров были известными учеными и внесли огромный вклад в науку. Я могу и сегодня назвать их крупнейшие научные достижения. Сергей Иванович Вавилов, проживи он немного дольше, стал бы нобелевским лауреатом. Работы Александрова по размагничиванию кораблей сохранили наш флот во время войны, а после войны он был создателем нашего атомного флота. Несмеянов и Келдыш — создатели целого ряда новых областей науки. Дальше — Гурий Марчук и Юрий Осипов много делали для сохранения Академии. А затем случилось самое страшное. Была разрушена вся высокотехнологичная экономика страны, созданная потом и кровью многих поколений. И в результате наука перестала быть востребованной экономикой и обществом.

Конечно, Академии был нанесен огромный удар в 2013 году. Отраслевая наука погибла потому, что погибли высокотехнологичные отрасли промышленности. Вузовская наука в финансовом отношении сидела на хоздоговорах с промышленностью. РАН мы как-то сохранили за счет бюджета, но нельзя было сливать вместе РАН, Академию сельхознаук и Академию медицинских наук. Нельзя было сразу делать такую гигантскую Академию. Затем был принят новый закон о РАН, организовано Федеральное агентство научных организаций. Ученые развивают науку, а все, на чем эта наука делается, у ученых забрали. Конечно, были и преступления, во многих институтах сдавали в аренду помещения. Но нужно было бороться конкретно с этими вещами, а не отнимать все у Академии. Наиболее разумным было бы передать, как в тридцатые годы, все хозяйство Академии Управлению делами АН с согласованием назначения главы управления делами Академии с Правительством.

Что касается нового руководства, я могу сказать, что Александр Михайлович Сергеев — хороший физик, у него безусловно хорошие работы по физике. У него бесконечно тяжелая работа. Правительство и руководство страны должны понимать простую вещь: только на базе современных научных исследований мы можем вернуть стране и новые технологии, и новые компании. Мне недавно сообщали страшные цифры о том, кто и как владеет нашими крупнейшими компаниями. Я не знаю, как на самом деле обстоят дела, но боюсь, что мы в каком-то отношении сегодня находимся в положении 1913 года, когда очень многие высокоразвитые промышленные технологии находились в руках западных компаний и западных стран.

— Вы часто говорите про невостребованность науки экономикой и обществом. С экономикой все более-менее понятно, многие отмечают, что у нас нет полного цикла «фундаментальная — поисковая — прикладная наука». Но почему наука оказалась не нужна обществу?

— Так ее нет как раз потому, что наука не востребована экономикой. В результате крупных практических ошибок, в результате, я допускаю это, предательской деятельности каких-то групп в конце 80-х — начале 90-х мы оказались в ситуации, когда действительно были пустые полки, был экономический кризис. Хотя, вообще говоря, в 60-е и 70-е годы этого не было. В 80-е годы даже была такая шутка, что полки в магазинах пустые, а холодильники дома у всех полные. Когда обсуждаются проблемы экономики, я рекомендую в том числе своим коллегам-физикам читать статью величайшего физика и ученого XX столетия и, по моему мнению, величайшего ученого всех времен и народов Альберта Эйнштейна. В мае 1949 года он опубликовал статью под названием «Why socialism?». В самом начале этой статьи он написал, что физики имеют полное право оценивать экономику и экономическое развитие, потому что это на самом деле новые формы развития, оценивать которые нынешние экономисты не могут, ведь они знают лишь экономику капиталистического периода. Один из фундаментальных выводов этой статьи Эйнштейна заключается в том, что, во-первых, капитализм по закону несет право отнимать друг у друга и грабить друг друга. Масса владеющих собственностью людей начинает отнимать ее и делает это не нарушая закона, а по закону.

Во-вторых, Эйнштейн подчеркивает, что капиталистическое общество рождает олигархию и олигархов, бороться с которыми демократическими методами невозможно. Также он отмечает, что капитализм несет не только такую ужасную экономику и законное перехватывание собственности друг у друга, но и наносит огромный ущерб системе образования, где молодежь воспитывается в духе «как быть первым для того, чтобы хапнуть». Он видел выход только в социализме и плановой экономике. Эйнштейн считал их кардинальной дорогой развития человечества. Но предупреждал, что и при плановой экономике можно создать такие условия закрепощения личности, при которых все остальное покажется свободой.

Вторая вещь, которая, с моей точки зрения, является основной, состоит в том, что для нашей страны нет никакого другого выхода, кроме как создавать новые технологии на основе научных исследований и компании, которых нет на Западе. При этом нужно понимать, что мы должны развивать образование. Я делаю это в своем маленьком университете. Там 200 школьников, 240 студентов-бакалавров, 150 магистрантов, 40 аспирантов. Мы учим физике, математике, программированию, основам биологии и медицины, физике конденсированного состояния, естественно, и нашим гетероструктурам, их применению в электронике. Ребятам трудно, но в итоге они учатся хорошо. Наука создается из синтеза близких областей, так было раньше, есть сейчас и будет в будущем. Выигрыш здесь может быть, только если вы сможете обучать и правильно угадать эти направления. И настоящий научный работник всегда должен преподавать. Могут быть исключения, но, как правило, он должен преподавать.

— А преподаватели вузов должны заниматься научной работой?

— И преподаватель должен заниматься научной работой. Мы в университете так и делаем. Если у человека склонность к преподавательской деятельности, у него может быть меньший объем исследовательской работы. Но заниматься и тем, и тем необходимо. Что касается образования, то оно должно быть бесплатным, и это было нашим достижением в советское время. Как можно брать за это деньги и давать преимущество людям отнюдь не за их способности?

— Жорес Иванович, еще пара вопросов про текущую деятельность Академии. Сейчас ФАНО проводит оценку результативности научных институтов и делит их на три категории. Как вы к этому относитесь?

— Отрицательно. Как и к работе по распределению научных работников по классу и по уровню в зависимости от того, сколько у них публикаций и в каких журналах. Могу сказать, что я бы попал в очень слабую группу, если бы меня оценивали по публикациям, за которые я получил Нобелевскую премию. Например, в Санкт-Петербурге в области физиологии, биомедицинских исследований есть институты. Как можно сравнивать, скажем, Институт физиологии имени И.П. Павлова и Институт эволюционной физиологии и биохимии имени И.М. Сеченова? Это разные институты, с разными направлениями исследований физиологии. В том, что вы разведете институты, которые относятся к одному отделению, по разным категориям, нет ничего хорошего. Тут могут быть какие-то обиды, борьба между институтами непонятно за что.

— Зато тот, кто попадет в первую категорию, получит больше денег, чем тот, кто окажется во второй.

— Я был с февраля 1989 года по декабрь прошлого года председателем Санкт-Петербургского научного центра РАН. До создания ФАНО институты входили в отделения и одновременно их работу курировал наш президиум, мы организовывали взаимодействие академических институтов с отраслевыми институтами и вузами. Затем, в результате реформы, решили, что такие центры не нужны. Санкт-Петербургский научный центр остался, но уже как бюджетное научное учреждение, как маленький научный институт. В декабре прошлого года господин Котюков уволил меня с поста председателя центра, даже не сказав «спасибо». У нас в Академии, вообще говоря, так не принято. Я это переживу спокойно, но говорю об этом, чтобы продемонстрировать стиль работы руководителя ФАНО.

— Сейчас в Думе активно обсуждается новый закон о науке. Министерство образования и науки этот закон активно защищает, РАН наоборот выступает «против». Что вы думаете об этом законе?

— Я не считаю, что нужно менять действующий закон о науке, принятый в 1996 году. В нем нет ничего плохого, он отвечал изменениям, которые произошли в стране. И вместо нового закона следовало бы принимать новые поправки, которые диктуются нынешним состоянием экономики и без которых нельзя обойтись.

— Давайте перейдем к Нобелевским премиям. За 15 лет у российских ученых, если не брать в расчет Андрея Гейма и Константина Новоселова, нет ни одной премии. Вы несколько раз упоминали, что, скажем, последние премии по химии выдавались за исследования в области биохимии, а у нас такого класса работ нет. Есть ли сейчас в России исследования и ученые, которые могли бы получить Нобелевскую премию?

— Я не могу сразу назвать работы нобелевского уровня, выполненные в России российскими учеными ни в физике, ни в химии, ни в физиологии и медицине. Гейм и Новоселов — молодцы, у них хорошая работа по графену, но она полностью сделана за границей. Наша последняя Нобелевская премия была присуждена в 2003 году Виталию Гинзбургу и Алексею Абрикосову за работы по теории сверхпроводимости 50-х годов. Я получил Нобелевскую премию за работы, выполненные в конце 60-х годов.

У нас часто говорят, что Нобелевский комитет не присуждал премий нашим ученым, хотя и были достойные работы. Прежде всего я хотел бы отметить, что все Нобелевские премии по физике и химии были присуждены ученым из трех институтов: ФИАН, Физтех и физических проблем, там были настоящие научные школы мирового класса. Наверное, «не успели» получить Нобелевскую премию открытие электронного парамагнитного резонанса Евгением Завойским и выдающиеся работы по оптике полупроводников, включая предсказание и открытие «экситона» Яковом Френкелем, Евгением Гроссом и Леонидом Келдышем.

— Вы говорите, что среди живущих в России ученых некому присуждать Нобелевские премии. Должно ли государство возвращать тех, кто уехал работать за границу? Нужны ли госпрограммы?

— Прежде всего я ничего не говорю о присуждении Нобелевских премий и не имею права об этом говорить. У тех, кто уехал и успешно работает за границей, там уже, как правило, есть и семья, и друзья, позиция. Они приедут к нам, если им заплатят большие деньги, выполнят работу по гранту и уедут обратно. Те, у кого там не получилось, они не нужны и здесь.

— Но есть же успешные ученые, которые сами возвращаются. Например, кристаллограф Артем Оганов, который успешно работал в США, Китае, а потом вернулся в Россию. И, по его словам, ему тут очень хорошо живется.

— В индивидуальном порядке ученые могут приезжать, но вводить программу возвращения наших ученых, уехавших за границу… Я бы не стал этого делать. Повторюсь, тот, кто там был успешным, приедет к нам только за большим грантом и снова уедет. Тот, кто там не смог ничего сделать, не нужен и здесь. Так что никакая госпрограмма не нужна. Нужно в первую очередь изменить уровень зарплат научным работникам. Потому что сегодня они очень низкие.

— Руководители ФАНО и Минобрнауки на это обычно отвечают, что те, кто хочет прилично зарабатывать, и так зарабатывают. Для этого есть гранты, программы. А те, кто не очень хочет зарабатывать, получают свои 15 тысяч.

— Зарабатывать деньги можно по-разному. Есть научные работники, которые получают под одну и ту же работу по пять грантов от разных грантодержателей. И таких людей много. Да, они зарабатывают, но каким способом? Когда человек получает на одну работу пять грантов, он — жулик. Есть крупные научные проекты, в которых мы должны участвовать, чтобы двигать науку. В советское время мы могли себе позволить участие в целом ряде крупных проектов. Сегодня к участию в таких проектах надо подходить чрезвычайно взвешенно. Во многих случая гораздо выгоднее принять участие в западном проекте, а не делать его здесь. Эти решения должна принимать Академия наук.

На мой взгляд, также неправильно, что Курчатовский институт, хороший научный институт, стал вторым научным центром, пытаясь играть роль а-ля Академия наук. Когда в состав Курчатовского института стали включаться институты, не имеющие отношения к его профилю. Мы знаем, почему это делается. Посмотрите, сколько денег приходится на научного сотрудника в Курчатовском институте и в институтах РАН. Разве это правильно? А если вы попробуете назвать крупнейшие научные достижение, то хвастаться ни РАН, ни Курчатовскому институту нечем. У РАН оснований для такого хвастовства даже больше.

— Сейчас набирает обороты цифровизация науки, образования, всего на свете. Все обсуждают блокчейн, криптовалюты. Что вы об этом думаете? Как будет меняться облик науки и ученого?

— Прежде всего научные сотрудники, в том числе и создатели цифровой экономики и цифровизации, должны к этому делу подойти очень внимательно. С моей точки зрения, начинает работать большая команда жулья. Нужно разбираться. Криптовалюты — это яркий пример команды жуликов. Сегодня, к сожалению, и среди научных работников становится популярным принцип получения больших дополнительных средств не обязательно за достойные проекты. И в цифровизации это может случиться даже чаще, чем в других областях.

Жорес Иванович Алферов. Родился 15 марта 1930 года в Витебске - умер 2 марта 2019 года в Санкт-Петербурге. Советский и российский физик. Лауреат Нобелевской премии по физике (2000). Лауреат Ленинской премии (1972), Государственной премии СССР (1984), Государственной премии РФ (2001). Политик. Депутат Государственной думы РФ II-VII созывов.

Имеет белорусские и еврейские корни.

Отец - Иван Карпович Алфёров, родом из Чашников.

Мать - Анна Владимировна Розенблюм, родом из Крайска Минской области.

Старший брат - Маркс Алферов (1924-1944), учился на энергетическом факультете Уральского индустриального института, добровольцем ушел на фронт. Был ранен на Сталинградской и Курской битвах, погиб во время Корсунь-Шевченковской операции зимой 1944 года. Братскую могилу, в которой был похоронен лейтенант Маркс Алферов (возле украинского села Хильки) Жорес Иванович отыскал в 1956 году.

Свое имя получил в честь Жанна Жореса, основателя французской социалистической партии и газеты «L’Humanite». Как вспоминал Жорес Иванович, его родители ждали появления девочки, но родился мальчик. Ему долго не могли выбрать имя. Отец в течение всей жизни обращался к нему, ставя ударение на «о», а мама чаще всего звала его «Жоренькой». Позже, когда Жорес Алферов бывал на научных конференциях во Франции, там очень удивлялись, что ученый носит имя в честь их соотечественника, они при этом часто путали имя и фамилию (считали, что Жорес - это фамилия, а Алферов - имя).

Довоенные годы провёл в Сталинграде, Новосибирске, Барнауле и Сясьстрое. Во время Великой Отечественной войны семья Алфёровых переехала в Туринск Свердловской области, где его отец работал директором целлюлозно-бумажного завода. После войны семья вернулась в Минск.

В юности активно занимался спортом, имел второй разряд по плаванию и третий разряд по скоростному бегу на коньках. Также любил хоккей и футбол.

Во время учебы в школе занимался в драмкружке, читал со сцены прозу и стихи.

В Минске с золотой медалью окончил среднюю школу № 42.

Далее по совету своего учителя физики Якова Борисовича Мельцерзона несколько семестров отучился в Белорусском Политехническом Институте (ныне БНТУ) на энергетическом факультете. Затем отправился в Ленинград, де поступил в ЛЭТИ без экзаменов.

В 1952 году окончил факультет электронной техники Ленинградского электротехнического института имени В. И. Ульянова (Ленина).

С 1953 года работал в Физико-техническом институте имени А. Ф. Иоффе, где был младшим научным сотрудником в лаборатории В. М. Тучкевича и принимал участие в разработке первых советских транзисторов и силовых германиевых приборов. Кандидат физико-математических наук (1961).

Член КПСС с 1965 года.

В 1970 году защитил диссертацию, обобщив новый этап исследований гетеропереходов в полупроводниках, и получил степень доктора физико-математических наук. В 1972 году Алфёров стал профессором, а через год - заведующим базовой кафедрой оптоэлектроники ЛЭТИ.

Академик АН СССР (1979), затем РАН, почётный академик Российской академии образования. Вице-президент РАН, председатель президиума Санкт-Петербургского научного центра РАН. Главный редактор «Писем в Журнал технической физики».

Был главным редактором журнала «Физика и техника полупроводников», членом редакционной коллегии журнала «Поверхность: Физика, химия, механика», членом редакционной коллегии журнала «Наука и жизнь». Был членом правления Общества «Знание» РСФСР.

С 1988 года, с момента основания СПбГПУ, декан физико-технического факультета.

В 1989-1992 годах - народный депутат СССР.

В 1990-1991 годах - вице-президент АН СССР, председатель Президиума Ленинградского научного центра.

С начала 1990-х годов Алфёров занимался исследованием свойств наноструктур пониженной размерности: квантовых проволок и квантовых точек.

В 2000 году стал лауреатом Нобелевской премии по физике за разработку полупроводниковых гетероструктур и создание быстрых опто- и микроэлектронных компонентов. Денежный гонорар он потратил на приобретение квартиры в Москве (до этого семья жила в служебной), треть суммы перевел в Фонд поддержки образования и науки. Несмотря на то, что открытия академика активно используются в дисководах компьютеров, в светофорах, в оборудовании супермаркетов, в фарах автомобилей и в мобильных телефонах, у самого Жореса Алферова долгое время не было личного мобильника - телефон ему подарили коллеги по физико-техническому университету.

Жорес Алферов отмечал, что свои открытия сделал, благодаря поддержке науки в СССР: "Поймите, из того факта, что Советский Союз рухнул, вовсе не следует, что рыночная экономика эффективнее плановой. Но я вам лучше скажу о том, что знаю хорошо, - о науке. Посмотрите, где она у нас была раньше и где сейчас! Когда мы только начинали делать транзисторы, первый секретарь Ленинградского обкома партии лично приезжал к нам в лабораторию, сидел у нас, спрашивал: что нужно, чего не хватает? Я свои работы по полупроводниковым гетероструктурам, за которые мне потом дали Нобелевскую премию, сделал раньше американцев. Я обогнал их! Я приезжал в Штаты и читал им лекции, а не наоборот. И производство этих электронных компонентов мы начали раньше. Если бы не 90-е годы, айфоны и айпады сейчас выпускали бы у нас, а не в США".

С 2001 года Президент Фонда поддержки образования и науки (Алфёровского фонда).

В 2003 году Алфёров оставил пост руководителя ФТИ и до 2006 года занимал пост председателя учёного совета института. Однако Алфёров сохранил влияние на ряд научных структур, среди которых: ФТИ им. А. Ф. Иоффе, НТЦ Центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур, научно-образовательный комплекс (НОК) Физико-технического института и физико-технический лицей.

С 2003 года - председатель Научно-образовательного комплекса «Санкт-Петербургский физико-технический научно-образовательный центр» РАН.

Являлся инициатором учреждения в 2002 году премии «Глобальная энергия», до 2006 года возглавлял Международный комитет по её присуждению. Считается, что присуждение этой премии самому Алфёрову в 2005 году, стало одной из причин оставления им этого поста.

Является ректором-организатором нового Академического университета.

С апреля 2010 года - научный руководитель инновационного центра в Сколково и сопредседатель Консультативного научного Совета Фонда «Сколково».

Член редакционного совета радиогазеты «Слово». Председатель Редакционной коллегии журнала «Нанотехнологии Экология Производство».

В 2013 году баллотировался на пост президента РАН и, получив 345 голосов, занял второе место.

Имя «Академик Жорес Алферов» было присвоено якутскому алмазу весом 70,20 карта. Драгоценный камень был добыт на кимберлитовой трубке «Сытыканская» в 2000 году.

Также в честь ученого назван астероид, который открыл в Крымской астрофизической обсерватории Н.С. Черных.

Общественно-политическая позиция Жореса Алферова

С 1995 года - депутат Государственной думы Федерального собрания. Первоначально избрался от движения «Наш дом - Россия» (НДР). С 1998 года - член депутатской группы Народовластие. Далее избирался от КПРФ. Член комитета по образованию и науке.

Жорес Алферов стал единственным депутатом Государственной думы от КПРФ, который во втором чтении поддержал 26 сентября 2018 года законопроект о повышении пенсионного возраста в России. В третьем чтении Алферов голосовал против пенсионной реформы (представители КПРФ заявляли, что голос Алферова во втором чтении подан по ошибке).

Один из авторов Открытого письма 10 академиков Президенту РФ против клерикализации. Выступал против преподавания в школах предмета Основы православной культуры, в то же время утверждая, что у него «очень простое и доброе отношение к Русской Православной Церкви» и что «Православная церковь отстаивает единство славян».

После начавшейся в 2013 году реформы РАН Алфёров неоднократно высказывал отрицательное отношение к данному законопроекту. В обращении учёного к Президенту РФ говорилось: "После жесточайших реформ 1990-х годов, многое утратив, РАН тем не менее сохранила свой научный потенциал гораздо лучше, чем отраслевая наука и вузы. Противопоставление академической и вузовской науки совершенно противоестественно и может проводиться только людьми, преследующими свои и очень странные политические цели, весьма далёкие от интересов страны".

В 2016 году подписал письмо с призывом к Greenpeace, Организации Объединенных Наций и правительствам всего мира прекратить борьбу с генетически модифицированными организмами (ГМО).

Жорес Алферов часто выступал с критикой в адрес российской власти и проводимого ею курса: "Если гражданина заставляют платить за образование и медицинское обслуживание, пенсию накапливать из собственных средств, жилье и коммунальные услуги оплачивать полностью, по рыночной цене, то зачем мне такое государство?! С какой стати я должен еще платить налоги и содержать безумную армию чиновников? Я всегда на всех уровнях говорил, что здравоохранение, образование и наука должны обеспечиваться из бюджета. Если государство сваливает эту заботу на нас самих, пусть исчезнет, нам будет гораздо легче".

Поддержал в 2014 году политику Владимира Путина по Украине и Крыму. Ученый говорил: "На Украине я раньше бывал каждый год, являюсь почётным гражданином Хильков и Комаривки. Последний раз приезжал туда в 2013 г. вместе с иностранными учёными. Нас очень тепло приняли. И мой американский коллега, нобелевский лауреат Роджер Корнберг, пообщавшись с местными жителями, воскликнул: «Жорес, как вас можно было делить? Вы ведь один народ!». То, что творится на Украине, ужасно. И на самом деле грозит гибелью всему человечеству. Для всей планеты сейчас наступило чёрное время - время фашизма в самых разных формах. На мой взгляд, это происходит потому, что уже нет такого могучего сдерживающего фактора, каким был Советский Союз".

Жорес Алферов об Украине

Личная жизнь Жореса Алферова:

Дважды был женат.

Первый раз женился в молодом возрасте. В браке родилась дочь. После развода оставил все имущество супруге, в т.ч. квартиру, с собой взял только мотоцикл. Далее жил в общежитии.

Вторая жена - Тамара Георгиевна. Они познакомились на отдыхе в конце 1960-х годов. Поженились в 1967 году. У Тамары Георгиевны есть дочь Ирина от предыдущего брака, которую воспитывал Алферов.

В 1972 году у пары родился сын Иван.

Есть внуки.

В ноябре 2018 года Жорес Алферов был госпитализирован в одну из московских клиник. СМИ писали, что у него случился инсульт. Позже помощник Алферова заявил: "У Жореса Ивановича был гипертонический криз, сейчас все стабилизировалось, я думаю, что все будет нормально. Давление поднялось, потому что уже возраст. Сделали капельницу, и все стабилизировалось".

Библиография Жореса Алферова:

1996 - Second International Conference on Optical Information Processing
1999 - Физика ХХI века: выступление почетного доктора Санкт-Петербургского гуманитарного университета профсоюзов Жореса Ивановича Алферова (9 апреля 1998 года)
2000 - Физика и жизнь
2005 - Наука и общество
2010 - Калитка имени Алфёрова: 80 историй от нобелевского лауреата, рассказанных Аркадию Соснову
2010 - Академия наук в истории культуры России в XVIII-XX вв
2012 - Власть без мозгов. Отделение науки от государства
2013 - Власть без мозгов: кому мешают академики

Награды и звания Жореса Алферова:

Орден «За заслуги перед Отечеством» I степени (14 марта 2005) - за выдающиеся заслуги в развитии отечественной науки и активное участие в законотворческой деятельности;
- Орден «За заслуги перед Отечеством» II степени (2000);
- Орден «За заслуги перед Отечеством» III степени (4 июня 1999) - за большой вклад в развитие отечественной науки, подготовку высококвалифицированных кадров и в связи с 275-летием Российской академии наук;
- Орден «За заслуги перед Отечеством» IV степени (15 марта 2010) - за заслуги перед государством, большой вклад в развитие отечественной науки и многолетнюю плодотворную деятельность;
- Орден Александра Невского (2015);
- Орден Ленина (1986);
- Орден Октябрьской Революции (1980);
- Орден Трудового Красного Знамени (1975);
- Орден «Знак Почёта» (1959);
- Государственная премия Российской Федерации 2001 года в области науки и техники (5 августа 2002) за цикл работ «Фундаментальные исследования процессов формирования и свойств гетероструктур с квантовыми точками и создание лазеров на их основе»;
- Ленинская премия (1972) - за фундаментальные исследования гетеропереходов в полупроводниках и создание новых приборов на их основе;
- Государственная премия СССР (1984) - за разработку изопериодических гетероструктур на основе четверных твёрдых растворов полупроводниковых соединений A3B5;
- Орден Франциска Скорины (Республика Беларусь, 17 мая 2001) - за большой личный вклад в развитие физической науки, организацию белорусско-российского научно-технического сотрудничества, укрепление дружбы народов Белоруссии и России;
- Орден князя Ярослава Мудрого V степени (Украина, 15 мая 2003) - за весомый личный вклад в развитие сотрудничества между Украиной и Российской Федерацией в социально-экономической и гуманитарной сферах;
- Орден Дружбы народов (Белоруссия);
- Золотая медаль имени Низами Гянджеви (2015);
- Медаль Стюарта Баллантайна (Институт Франклина, США, 1971) - за теоретические и экспериментальные исследования двойных лазерных гетероструктур, благодаря которым были созданы источники лазерного излучения малых размеров, работающие в непрерывном режиме при комнатной температуре;
- Хьюллет-Паккардовская премия (Европейское физическое общество, 1978) - за новые работы в области гетеропереходов;
- Золотая медаль Генриха Велкера от Симпозиума по GaAs (1987) - за пионерские работы по теории и технологии приборов на основе соединений III-V групп и разработку инжекционных лазеров и фотодиодов;
- Премия имени Карпинского (ФРГ, 1989) - за вклад в развитие физики и техники гетероструктур;
- XLIX Менделеевский чтец - 19 февраля 1993 года;
- Премия имени А. Ф. Иоффе (РАН, 1996) - за цикл работ «Фотоэлектрические преобразователи солнечного излучения на основе гетероструктур»;
- Почетный доктор СПбГУП с 1998 года;
- Демидовская премия (Научный Демидовский фонд, Россия, 1999);
- Золотая медаль имени А. С. Попова (РАН, 1999);
- Премия Ника Холоньяка (Оптическое общество Америки, 2000);
- Нобелевская премия (Швеция, 2000) - за развитие полупроводниковых гетероструктур для высокоскоростной оптоэлектроники;
- Премия Киото (Инамори фонд, Япония, 2001) - за успехи в создании полупроводниковых лазеров, работающих в непрерывном режиме при комнатных температурах - пионерский шаг в оптоэлектронике;
- Премия В. И. Вернадского (НАН Украины, 2001);
- Премия «Российский Национальный Олимп». Титул «Человек-легенда» (РФ, 2001);
- Золотая медаль SPIE (SPIE, 2002);
- Награда «Золотая тарелка» (Академия достижений, США, 2002);
- Международная энергетическая премия «Глобальная энергия» (Россия, 2005);
- Звание и медаль Почётного профессора МФТИ (2008);
- Медаль «За вклад в развитие нанонауки и нанотехнологий» от ЮНЕСКО (2010);
- Награда «Почётный орден РАУ». Удостоен звания «Почётный доктор Российско-Армянского (Славянского) университета» (ГОУ ВПО Российско-Армянский (Славянский) университет, Армения, 2011);
- Международная премия Карла Боэра (2013);
- Почётный профессор МИЭТ (НИУ МИЭТ 2015)

Родился 15 марта 1930 г. в г. Витебске в семье Ивана Карповича и Анны Владимировны Алфёровых, уроженцев Белоруссии. Отец восемнадцатилетним юношей в 1912 г. приехал в Санкт-Петербург. Работал грузчиком в порту, разнорабочим на конвертной фабрике, рабочим на заводе «Лесснер» (впоследствии «Завод им. Карла Маркса»). В первую мировую дослужился до звания унтер-офицера лейб-гвардии, став георгиевским кавалером.

В сентябре 1917 г. И.К.Алфёров вступил в партию большевиков и на всю жизнь остался верен избранным в юности идеалам. Об этом, в частности, свидетельствуют и горькие слова самого Жореса Ивановича: «Я счастлив, что мои родители не дожили до этого времени» (1994 г.). В гражданскую войну И.К.Алфёров командовал кавалерийским полком Красной Армии, встречался с В.И.Лениным, Л.Д.Троцким, Б.Б.Думенко. После окончания Промакадемии в 1935 г. он прошёл путь от директора завода до начальника треста: Сталинград, Новосибирск, Барнаул, Сясьстрой (под Ленинградом), Туринск (Свердловская область, военные годы), Минск (после войны). Ивану Карповичу были свойственны внутренняя порядочность и нетерпимость к огульному осуждению людей.

Анна Владимировна обладала ясным умом и большой житейской мудростью, во многом унаследованной сыном. Работала в библиотеке, возглавляла совет жён-общественниц.

Ж.И.Алфёров с родителями, Анной Владимировной и Иваном Карповичем (1954 г.).

Супруги, как большинство людей того поколения, стойко верили в революционные идеи. Тогда появилась мода давать детям звучные революционные имена. Младший сын стал Жоресом в честь французского революционера Жана Жореса, а старший – Марксом, в честь основоположника научного коммунизма. Жорес и Маркс были директорскими детьми, а значит, нужно было быть примером и в учёбе, и в общественной жизни.

Молох репрессий обошёл стороной семью Алфёровых, но война взяла своё. Маркс Алфёров закончил школу 21 июня 1941 г. в Сясьстрое. Поступил в Уральский индустриальный институт на энергетический факультет, но проучился лишь несколько недель, а потом решил, что его долг – защищать Родину. Сталинград, Харьков, Курская дуга, тяжёлое ранение в голову. В октябре 1943 г. он провёл три дня с семьёй в Свердловске, когда после госпиталя возвращался на фронт. И эти три дня, фронтовые рассказы старшего брата, его страстную юношескую веру в силу науки и инженерной мысли Жорес запомнил на всю жизнь. Гвардии младший лейтенант Маркс Иванович Алфёров погиб в бою во «втором Сталинграде» – так называли тогда Корсунь-Шевченковскую операцию.

В 1956 г. Жорес приехал на Украину, чтобы найти могилу брата. В Киеве, на улице, он неожиданно встретил своего сослуживца Б.П.Захарченю, ставшего впоследствии одним из ближайших его друзей. Договорились поехать вместе. Купили билеты на пароход и уже на следующий день плыли вниз по Днепру к Каневу в двухместной каюте. Нашли деревню Хильки, около которой Маркс Алфёров яростно отражал попытку отборных немецких дивизий выйти из корсунь-шевченковского «котла». Нашли братскую могилу с белым гипсовым солдатом на постаменте, высящемся над буйно разросшейся травой, в которую были вкраплены простые цветы, какие обычно сажают на русских могилах: ноготки, анютины глазки, незабудки.

В разрушенном Минске Жорес учился в единственной в то время русской мужской средней школе № 42, где был замечательный учитель физики - Яков Борисович Мельцерзон. В школе не было физического кабинета, но влюблённый в физику Яков Борисович умел передать ученикам свое отношение к любимому предмету, так что в довольно хулиганистом классе никогда не шалили. Жорес, поражённый рассказом Якова Борисовича о работе катодного осциллографа и принципах радиолокации, поехал в 1947 г. учиться в Ленинград, в Электротехнический институт, хотя его золотая медаль открывала возможность поступления в любой институт без экзаменов. Ленинградский электротехнический институт (ЛЭТИ) им. В.И.Ульянова (Ленина) был учреждением с уникальным названием: в нём упомянуты и настоящая фамилия, и партийная кличка человека, которого часть населения бывшего СССР теперь не очень почитает (нынче это Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет).

Фундамент науки в ЛЭТИ, сыгравшем выдающуюся роль в развитии отечественной электроники и радиотехники, был заложен такими «китами», как Александр Попов, Генрих Графтио, Аксель Берг, Михаил Шателен. Жоресу Ивановичу, по его словам, очень повезло с первым научным руководителем. На третьем курсе, считая, что математика и теоретические дисциплины даются легко, а «руками» нужно многому учиться, он пошёл работать в вакуумную лабораторию профессора Б.П.Козырева. Там, начав в 1950 г. экспериментальную работу под руководством Наталии Николаевны Созиной, незадолго до этого защитившей диссертацию по исследованию полупроводниковых фотоприёмников в ИК-области спектра, Ж.И.Алфёров впервые столкнулся с полупроводниками, ставшими главным делом его жизни. Первой проштудированной монографией по физике полупроводников стала книга Ф.Ф.Волькенштейна «Электропроводность полупроводников», написанная во время блокады Ленинграда. В декабре 1952 г. проходило распределение. Ж.И.Алфёров мечтал о Физтехе, возглавляемом Абрамом Фёдоровичем Иоффе, монография которого «Основные представления современной физики» стала для молодого учёного настольной книгой. При распределении были три вакансии, и одна досталась Ж.И.Алфёрову. Жорес Иванович много позже писал, что его счастливая жизнь в науке была предопределена именно этим распределением. В письме родителям в Минск он сообщил о выпавшем ему огромном счастье работать в институте Иоффе. Жорес тогда ещё не знал, что Абрама Фёдоровича за два месяца до этого вынудили уйти из созданного им института, где он директорствовал более 30 лет.

Систематические исследования полупроводников в Физико-техническом институте были начаты ещё в 30-е гг. прошлого века. В 1932 г. В.П.Жузе и Б.В.Курчатов исследовали собственную и примесную проводимость полупроводников. В том же году А.Ф.Иоффе и Я.И.Френкель создали теорию выпрямления тока на контакте металл–полупроводник, основанную на явлении туннелирования. В 1931-м и 1936 гг. Я.И.Френкель опубликовал свои знаменитые работы, в которых предсказал существование экситонов в полупроводниках, введя сам этот термин и разработав теорию экситонов. Первая диффузионная теория выпрямляющего p–n -перехода, ставшая основой теории p–n -перехода В.Шокли, была опубликована Б.И.Давыдовым в 1939 г. По инициативе А.Ф.Иоффе с конца 40-х гг. в Физтехе были начаты исследования интерметаллических соединений.

30 января 1953 г. Ж.И.Алфёров приступил к работе у нового научного руководителя, в то время заведующего сектором, кандидата физико-математических наук Владимира Максимовича Тучкевича. Перед небольшим коллективом сектора была поставлена очень важная задача: создание первых отечественных германиевых диодов и транзисторов с p–n-переходами (см. «Физику» № 40/2000, В.В.Рандошкин . Транзистор). Тема «Плоскость» была поручена правительством параллельно четырём институтам: ФИАНу и ФТИ в Академии наук, ЦНИИ-108 – главному в то время радиолокационному институту Министерства обороны в Москве (во главе с академиком А.И.Бергом) – и НИИ-17 – головному институту электронной техники во Фрязино, под Москвой.

Физтех в 1953 г., по нынешним меркам, был небольшим институтом. Ж.И.Алфёров получил пропуск № 429 (что означало численность всех сотрудников института на тот момент). Потом большинство знаменитых физтеховцев уехали в Москву к И.В.Курчатову и в другие вновь создаваемые «атомные» центры. «Полупроводниковая элита» ушла вместе с А.Ф.Иоффе в недавно организованную лабораторию полупроводников при президиуме АН СССР. В ФТИ из «старшего» поколения «полупроводниковцев» остались лишь Д.Н.Наследов, Б.Т.Коломиец и В.М.Тучкевич.

Новый директор ЛФТИ, академик А.П.Комар, далеко не лучшим образом вёл себя по отношению к своему предшественнику, но в развитии института избрал вполне разумную стратегию. Основное внимание уделялось поддержке работ по созданию качественно новой полупроводниковой электроники, космических исследований (газодинамика больших скоростей и высокотемпературные покрытия - Ю.A.Дунаев) и разработке методов разделения лёгких изотопов для водородного оружия (Б.П.Константинов). Не забывались и чисто фундаментальные исследования: именно в это время был экспериментально открыт экситон (Е.Ф.Гросс), созданы основы кинетической теории прочности (С.Н.Журков), начаты работы по физике атомных столкновений (В.М.Дукельский, К.В.Федоренко). Блестящий доклад Е.Ф.Гросса об открытии экситона прозвучал на первом для Ж.И.Алфёрова полупроводниковом семинаре в Физтехе в феврале 1953 г. Он испытал ни с чем не сравнимое ощущение – быть свидетелем рождения выдающегося открытия в той области науки, в которой делаешь свои первые шаги.

Дирекция ФТИ прекрасно понимала необходимость привлечения молодёжи в науку, и каждый приходящий молодой специалист проходил собеседование в дирекции. Именно в это время были приняты в Физтех будущие члены Академии наук СССР Б.П.Захарченя, А.А.Каплинский, Е.П.Мазец, В.В.Афросимов и многие другие.

В Физтехе Ж.И.Алфёров очень быстро дополнил свое инженерно-техническое образование физическим и стал высококлассным специалистом по квантовой физике полупроводниковых приборов. Главной была работа в лаборатории – Алфёрову посчастливилось быть участником рождения советской полупроводниковой электроники. Жорес Иванович как реликвию хранит свой лабораторный журнал того времени с записью о создании им 5 марта 1953 г. первого советского транзистора с p–n -переходом. Сегодня можно удивляться, как очень небольшой коллектив очень молодых сотрудников под руководством В.М.Тучкевича в течение нескольких месяцев разработал основы технологии и метрологии транзисторной электроники: А.А.Лебедев – получение и легирование совершенных монокристаллов германия, Ж.И.Алфёров – получение транзисторов с параметрами на уровне лучших мировых образцов, А.И.Уваров и С.М.Рывкин – создание прецизионной метрики кристаллов германия и транзисторов, Н.С.Яковчук – разработка схем на транзисторах. В этой работе, которой коллектив отдавался со всей страстью молодости и сознанием высочайшей ответственности перед страной, очень быстро и эффективно шло формирование молодого учёного, понимание значения технологии не только для создания новых электронных приборов, но и для физических исследований, роли и значения «мелких», на первый взгляд, деталей в эксперименте, необходимости понимания «простых» основ прежде выдвигания «высоконаучных» объяснений неудачных результатов.

Уже в мае 1953 г. первые советские транзисторные приёмники демонстрировались «высокому начальству», а в октябре в Москве работу принимала правительственная комиссия. ФТИ, ФИАН и ЦНИИ-108, используя разные методики конструирования и технологии изготовления транзисторов, успешно решили задачу, и лишь НИИ-17, слепо копируя известные американские образцы, провалил работу. Правда, созданному на основе одной из его лабораторий первому в стране полупроводниковому институту НИИ-35 и была поручена разработка промышленной технологии транзисторов и диодов с p–n -переходами, с которой они успешно справились.

В последующие годы небольшой коллектив «полупроводниковцев» ФТИ заметно расширился, и в очень короткое время в лаборатории уже доктора физмат наук профессора В.М.Тучкевича были созданы первые советские германиевые силовые выпрямители, германиевые фотодиоды и кремниевые солнечные батареи, исследовано поведение примесей в германии и кремнии.

В мае 1958 г. к Ж.И.Алфёрову обратился Анатолий Петрович Александров, будущий президент Академии наук СССР, с просьбой разработать полупроводниковые устройства для первой советской атомной подводной лодки. Для решения этой задачи нужны были принципиально новые технология и конструкция германиевых вентилей. Младшему научному сотруднику лично (!) звонил заместитель Председателя Правительства СССР Дмитрий Фёдорович Устинов. Пришлось на два месяца поселиться прямо в лаборатории, и работа была успешно выполнена в рекордно короткие сроки: уже в октябре 1958 г. устройства стояли на подводной лодке. Для Жореса Ивановича и сегодня полученный в 1959 г. за эту работу первый орден является одной из самых ценных наград!

Ж.И.Алфёров после вручения правительственной награды за работы по заказу ВМФ СССР

Установка вентилей была связана с многочисленными поездками в Северодвинск. Когда на «приёмку темы» приехал заместитель главкома ВМС и ему доложили, что теперь па подлодках стоят новые германиевые вентили, адмирал поморщился и раздражённо спросил: «А что же, отечественных не нашлось?».

В Кирово-Чепецке, где усилиями многих сотрудников Физтеха велись работы по разделению изотопов лития с целью создания водородной бомбы, Жорес познакомился со многими замечательными людьми и живо их описывал. Б.Захарченя запомнил такой его рассказ о Борисе Петровиче Звереве – зубре «оборонки» сталинских времён, главном инженере завода. Во время войны, в самое её тяжёлое время, он руководил предприятием, занимавшимся электролитическим получением алюминия. В технологическом процессе использовалась патока, хранившаяся в огромном чане прямо в цехе. Голодные рабочие её разворовывали. Борис Петрович созвал рабочих на собрание, произнёс прочувствованную речь, затем поднялся по лестнице к верхнему краю чана, расстегнул штаны и помочился на виду у всех в чан с патокой. На технологию это не повлияло, но патоку уже никто не воровал. Жореса очень забавляло это чисто русское решение вопроса.

За успешную работу Ж.И.Алфёров регулярно поощрялся денежными премиями, вскоре получил звание старшего научного сотрудника. В 1961 г. он защитил кандидатскую диссертацию, посвящённую в основном разработке и исследованию мощных германиевых и частично кремниевых выпрямителей. Заметим, что в этих приборах, как и во всех ранее созданных полупроводниковых приборах, использовались уникальные физические свойства p–n -перехода – искусственно созданного в полупроводниковом монокристалле распределения примесей, при котором в одной части кристалла носителями заряда являются отрицательно заряженные электроны, а в другой – положительно заряженные квазичастицы, «дырки» (латинские n и p как раз и значат negative и positive ). Поскольку различается лишь тип проводимости, а вещество одно и то же, p–n -переход можно назвать гомопереходом .

Благодаря p–n -переходу в кристаллах удалось осуществить инжекцию электронов и дырок, а простая комбинация двух p–n -переходов позволила реализовать монокристаллические усилители с хорошими параметрами – транзисторы. Наибольшее распространение получили структуры с одним p–n -переходом (диоды и фотоэлементы), двумя p–n -переходами (транзисторы) и тремя p–n -переходами (тиристоры). Всё дальнейшее развитие полупроводниковой электроники шло по пути исследования монокристаллических структур на основе германия, кремния, полупроводниковых соединений типа А III B V (элементов III и V групп Периодической системы Менделеева). Улучшение свойств приборов шло главным образом по пути совершенствования методов формирования p–n -переходов и использования новых материалов. Замена германия кремнием позволила поднять рабочую температуру приборов и создать высоковольтные диоды и тиристоры. Успехи в технологии получения арсенида галлия и других оптических полупроводников привели к созданию полупроводниковых лазеров, высокоэффективных источников света и фотоэлементов. Комбинации диодов и транзисторов на одной монокристаллической кремниевой подложке стали основой интегральных схем, на которых базировалось развитие электронно-вычислительной техники. Миниатюрные, а затем и микроэлектронные приборы, создаваемые в основном на кристаллическом кремнии, буквально смели электровакуумные лампы, позволив уменьшить в сотни и тысячи раз размеры устройств. Достаточно вспомнить старые ЭВМ, занимавшие огромные помещения, и их современный эквивалент ноутбук – компьютер, напоминающий маленький атташе-кейс, или «дипломат», как его называют в России.

Но предприимчивый, живой ум Ж.И.Алфёрова искал свой путь в науке. И он был найден, несмотря на крайне тяжёлую жизненную ситуацию. После молниеносной первой женитьбы ему пришлось так же молниеносно развестись, потеряв квартиру. В результате скандалов, устроенных свирепой тёщей в парткоме института, Жорес поселился в полу-подвальной комнате старого физтеховского дома.

Один из выводов кандидатской диссертации гласил, что p–n -переход в гомогенном по составу полупроводнике (гомоструктура ) не может обеспечить оптимальные параметры многих приборов. Стало ясно, что дальнейший прогресс связан с созданием p–n -перехода на границе разных по химическому составу полупроводников (гетероструктурах ).

В связи с этим сразу после появления первой работы, в которой была описана работа полупроводникового лазера на гомоструктуре в арсениде галлия, Ж.И.Алфёров выдвинул идею использования гетероструктур. Поданная заявка на выдачу авторского свидетельства на это изобретение по законам того времени была засекречена. Лишь после публикации аналогичной идеи Г.Крёмером в США гриф секретности был снижен до уровня «для служебного пользования», но авторское свидетельство было опубликовано лишь много лет спустя.

Лазеры на гомопереходах были неэффективны из-за высоких оптических и электрических потерь. Пороговые токи были очень высоки, а генерация осуществлялась только при низких температурах. В своей статье Г.Крёмер предложил использовать двойные гетероструктуры для пространственного ограничения носителей в активной области. Он предположил, что «с помощью пары гетеропереходных инжекторов лазерная генерация может быть осуществлена во многих непрямозонных полупроводниках и улучшена в прямозонных». В авторском свидетельстве Ж.И.Алфёрова также отмечалась возможность получения высокой плотности инжектированных носителей и инверсной заселённости с помощью «двойной» инжекции. Указывалось, что лазеры на гомопереходах могут обеспечить «непрерывный режим генерации при высоких температурах», к тому же возможно «увеличение излучающей поверхности и использование новых материалов для получения излучения в различных областях спектра».

Первоначально теория развивалась существенно быстрее, чем практическая реализация устройств. В 1966 г. Ж.И.Алфёров сформулировал общие принципы управления электронными и световыми потоками в гетероструктурах. Чтобы избежать засекречивания, в названии статьи были упомянуты лишь выпрямители, хотя эти же принципы были применимы и к полупроводниковым лазерам. Он предсказал, что плотность инжектированных носителей может быть на много порядков выше (эффект «суперинжекции»).

Идея использования гетероперехода была выдвинута на заре развития электроники. Уже в первом патенте, связанном с транзисторами на p–n -переходе, В.Шокли предложил для получения односторонней инжекции использовать широкозонный эмиттер. Важные теоретические результаты на ранней стадии исследования гетероструктур были получены Г.Крёмером, который ввёл понятия квазиэлектрических и квазимагнитных полей в плавном гетеропереходе и предположил чрезвычайно высокую эффективность инжекции гетеропереходов по сравнению с гомопереходами. Тогда же появились различные предложения по использованию гетеропереходов в солнечных батареях.

Итак, реализация гетероперехода открывала возможность создания более эффективных приборов для электроники и уменьшения размеров устройств буквально до атомных масштабов. Однако заниматься гетеропереходами Ж.И.Алфёрова отговаривали многие, в том числе и В.М.Тучкевич, неоднократно вспоминавший впоследствии об этом в речах и тостах, подчёркивая смелость Жореса Ивановича и дар предвидеть пути развития пауки. В то время существовал всеобщий скептицизм по поводу создания «идеального» гетероперехода, тем более с теоретически предсказываемыми инжекционными свойствами. И в пионерских работа Р.Л.Андерсена по исследованию эпитаксиального ( [таксис] означает расположение в порядке, построение ) перехода Ge–GaAs с совпадающими постоянными кристаллической решётки отсутствовали доказательства инжекции неравновесных носителей в гетероструктурах.

Максимальный эффект ожидался при использовании гетеропереходов между полупроводником, служащим активной областью прибора, и более широкозонным полупроводником. В качестве наиболее перспективных в то время рассматривались системы GaP–GaAs и AlAs–GaAs. Для «совместимости» эти материалы в первую очередь должны были удовлетворять самому важному условию: иметь близкие значения постоянной кристаллической решётки.

Дело в том, что многочисленные попытки реализовать гетеропереход были безуспешными: ведь не только размеры элементарных ячеек кристаллических решёток полупроводников, составляющих переход, должны практически совпадать, но и их тепловые, электрические, кристаллохимические свойства должны быть близкими, как и их кристаллические и зонные структуры.

Такую гетеропару найти не удавалось. И вот за это, казалось бы, безнадёжное дело взялся Ж.И.Алфёров. Нужный гетеропереход, как оказалось, можно было формировать путём эпитаксиального выращивания, когда один монокристалл (вернее, его монокристаллическая плёнка) наращивался на поверхности другого монористалла буквально послойно – один монокристаллический слой за другим. К нашему времени разработано много методов такого выращивания. Это и есть те самые высокие технологии, которые обеспечивают не только процветание электронных фирм, но и безбедное существование целых стран.

Б.П.Захарченя вспоминал, что маленькая рабочая комната Ж.И.Алфёрова вся была завалена рулонами миллиметровой бумаги, на которой неутомимый Жорес Иванович с утра до вечера чертил диаграммы состав–свойство многофазных полупроводниковых соединений в поисках сопрягающихся кристаллических решёток. Для идеального гетероперехода подходили арсенид галлия (GaAs) и арсенид алюминия (AlAs), но последний мгновенно окислялся на воздухе, и о его использовании, казалось, не могло быть и речи. Однако природа щедра на неожиданные подарки, нужно лишь подобрать ключи к её кладовым, а не заниматься грубым взломом, к которому призывал лозунг «Мы не можем ждать милостей от природы, взять их у неё – наша задача». Такие ключи уже были подобраны замечательным специалистом по химии полупроводников, физтеховской сотрудницей Ниной Александровной Горюновой, подарившей миру знаменитые соединения A III B V . Занималась она и более сложными тройными соединениями. Жорес Иванович всегда с огромным пиететом относился к таланту Нины Александровны и сразу понял её выдающуюся роль в науке.

Первоначально была предпринята попытка создать двойную гетероструктуру GaP 0,15 As 0,85 –GaAs. И она была выращена методом газофазной эпитаксии, а на ней был сформирован лазер. Однако из-за небольшого несоответствия постоянных решётки он, как и лазеры на гомопереходах, мог работать только при температуре жидкого азота. Ж.И.Алфёрову стало ясно, что таким путём реализовать потенциальные преимущества двойных гетероструктур не удастся.

Непосредственно с Жоресом Ивановичем работал один из учеников Горюновой, Дмитрий Третьяков, талантливый учёный с богемной душой в её неповторимой российской версии. Автор сотен работ, воспитавший многих кандидатов и докторов наук, лауреат Ленинской премии – высшего в то время знака признания творческих заслуг, – не защищал никакой диссертации. Он сообщил Жоресу Ивановичу, что неустойчивый сам по себе арсенид алюминия абсолютно устойчив в тройном соединении AlGaAs, так называемом твёрдом растворе . Свидетельством этому были давно выращенные путём охлаждения из расплава Александром Борщевским, тоже учеником Н.А.Горюновой, кристаллы этого твёрдого раствора, хранившиеся у него в столе уже несколько лет. Примерно так в 1967 г. была найдена ставшая теперь классической в мире микроэлектроники гетеропара GaAs–AlGaAs.

Изучение фазовых диаграмм, кинетики роста в этой системе, а также создание модифицированного метода жидкофазной эпитаксии, пригодного для выращивания гетероструктур, вскоре привели к созданию гетероструктуры, согласованной по параметру кристаллической решётки. Ж.И.Алфёров вспоминал: «Когда мы опубликовали первую работу на эту тему, мы были счастливы считать себя первыми, кто обнаружил уникальную, фактически идеальную, решёточно-согласованную систему для GaAs». Однако почти одновременно (с отставанием на месяц!) и независимо гетероструктура Al x Ga 1–x As–GaAs была получена в США сотрудниками фирмы IBM .

С этого момента реализация главных преимуществ гетероструктур пошла стремительно. Прежде всего экспериментально были подтверждены уникальные инжекционные свойства широкозонных эмиттеров и эффект суперинжекции, продемонстрировано стимулированное излучение в двойных гетероструктурах, установлена зонная структура гетероперехода Al x Ga 1–x As, тщательно изучены люминесцентные свойства и диффузия носителей в плавном гетеропереходе, а также чрезвычайно интересные особенности протекания тока через гетеропереход, например, диагональные туннельно-рекомбинационные переходы непосредственно между дырками из узкозонной и электронами из широкозонной составляющих гетероперехода.

В то же время основные преимущества гетероструктур были реализованы группой Ж.И.Алфёрова:

– в низкопороговых лазерах на двойных гетероструктурах, работающих при комнатной температуре;

– в высокоэффективных светодиодах на одинарной и двойной гетероструктурах;

– в солнечных элементах на гетероструктурах;

– в биполярных транзисторах на гетероструктурах;

– в тиристорных p–n–p–n гетероструктурах.

Если возможность управления типом проводимости полупроводника с помощью легирования различными примесями и идея инжекции неравновесных носителей заряда были теми семенами, из которых выросла полупроводниковая электроника, то гетероструктуры давали возможность решить значительно более общую проблему управления фундаментальными параметрами полупроводниковых кристаллов и приборов, такими, как ширина запрещённой зоны, эффективные массы носителей заряда и их подвижности, показатель преломления, электронный энергетический спектр и т.д.

Идея полупроводниковых лазеров на p–n -переходе, экспериментальное наблюдение эффективной излучательной рекомбинации в p–n -структуре на основе GaAs с возможностью стимулированного излучения и создание лазеров и светоизлучающих диодов на p–n -переходах были теми зёрнами, из которых начала расти полупроводниковая оптоэлектроника.

В 1967 г. Жорес Иванович был избран заведующим сектором ФТИ. Тогда же он впервые побывал в короткой научной командировке в Англии, где обсуждались лишь теоретические аспекты физики гетероструктур, поскольку английские коллеги считали экспериментальные исследования неперспективными. Хотя в великолепно оборудованных лабораториях имелись все возможности для экспериментальных исследований, англичане даже не задумывались о том, что они могут сделать. Жорес Иванович со спокойной совестью тратил время для ознакомления с архитектурными и художественниками памятниками в Лондоне. Нельзя было вернуться и без свадебных подарков, поэтому пришлось посетить «музеи материальной культуры» – роскошные по сравнению с советскими западные магазины.

Невестой была Тамара Дарская, дочь актёра Воронежского театра музыкальной комедии Георгия Дарского. Она работала в Химках под Москвой в космической фирме академика В.П.Глушко. Свадьба состоялась в ресторане «Крыша» в гостинице «Европейская» – в то время это было вполне по карману кандидату наук. Семейный бюджет позволял и еженедельные полёты по маршруту Ленинград–Москва и обратно (даже студент на стипендию мог раз-другой в месяц слетать на самолёте Ту-104, поскольку билет стоил всего 11 рублей при тогдашнем официальном курсе 65 копеек за доллар). Через полгода супруги всё-таки решили, что Тамаре Георгиевне лучше переехать в Ленинград.

И уже в 1968 г. на одном из этажей «полимерного» корпуса Физтеха, где в эти годы располагалась лаборатория В.М.Тучкевича, «загенерил» первый в мире гетеролазер. После этого Ж.И.Алфёров сказал Б.П.Захарчене: «Боря, я гетеропереходирую всю полупроводниковую микроэлектронику!» В 1968–1969 гг. группой Ж.И.Алфёрова были практически реализованы все основные идеи управления электронными и световыми потоками в классических гетероструктурах на основе системы GaAs–AlAs и показаны преимущества гетероструктур в полупроводниковых приборах (лазерах, светодиодах, солнечных батареях и транзисторах). Важнейшим было, конечно, создание низкопороговых, работающих при комнатной температуре лазеров на двойной гетероструктуре, предложенной Ж.И.Алфёровым ещё в 1963 г. Американские конкуренты (М.Б.Паниш и И.Хаяши из Bell Telephone , Г.Крессель из RCA ), знавшие о потенциальных преимуществах двойных гетероструктур, не отважились на их реализацию и использовали в лазерах гомоструктуры. С 1968 г. реально началось очень жёсткое соревнование, прежде всего с тремя лабораториями известных американских фирм: Bell Telephone , IBM и RCA .

Доклад Ж.И.Алфёрова на Международной конференции по люминесценции в Ньюарке (США) в августе 1969 г., в котором приводились параметры низкопороговых, работающих при комнатной температуре лазеров на двойных гетероструктурах, произвёл на американских коллег впечатление разорвавшейся бомбы. Профессор Я.Панков из RCA, только что, за полчаса до доклада, сообщивший Жоресу Ивановичу, что, к сожалению, для его визита на фирму нет разрешения, сразу после доклада обнаружил, что оно получено. Ж.И.Алфёров не отказал себе в удовольствии ответить, что теперь у него нет времени, поскольку IBM и Bell Telephone уже пригласили посетить их лаборатории ещё до доклада. После этого, как писал И.Хаяши, в Bell Telephone удвоили усилия по разработке лазеров на двойных гетероструктурах.

Семинар в Bell Telephone , осмотр лабораторий и дискуссия (а американские коллеги явно не скрывали, в расчёте на взаимность, технологические детали, конструкции и приспособления) довольно чётко показали достоинства и недочёты разработок ЛФТИ. Наступившее вскоре соперничество за достижение непрерывного режима работы лазеров при комнатной температуре было редким в то время примером открытого соревнования лабораторий из двух антагонистических великих держав. Ж.И.Алфёров с сотрудниками выиграли это соревнование, опередив на месяц группу М.Паниша из Bell Telephone !

В 1970 г. Ж.И.Алфёров и его сотрудники Ефим Портной, Дмитрий Третьяков, Дмитрий Гарбузов, Вячеслав Андреев, Владимир Корольков создали первый полупроводниковый гетеролазер, работающий в непрерывном режиме при комнатной температуре. Независимо о непрерывном режиме лазерной генерации в лазерах на двойных гетероструктурах (с алмазным теплоотводом) Ицуо Хаяши и Мортон Паниш сообщили в статье, направленной в печать лишь на месяц позже. Непрерывный режим лазерной генерации в Физтехе был реализован в лазерах с полосковой геометрией, для создания которых использовалась фотолитография, при этом лазеры устанавливались на медных теплоотводах, покрытых серебром. Самая низкая плотность порогового тока при комнатной температуре составляла 940 А/см 2 для широких лазеров и 2,7 кА/см 2 для полосковых. Реализация такого режима генерации вызвала взрыв интереса. В начале 1971 г. многие университеты и промышленные лаборатории в США, СССР, Великобритании, Японии, Бразилии и Польше начали исследование гетероструктур и приборов на их основе.

Большой вклад в понимание электронных процессов в гетеролазерах внёс теоретик Рудольф Казаринов. Время генерации первого лазера было коротким. Жорес Иванович признавался, что его хватило ровно на столько, чтобы измерить параметры, необходимые для статьи. Продление срока службы лазеров было делом довольно трудным, но оно было успешно решено усилиями физиков и технологов. Теперь обладатели плееров с компакт-дисками в большинстве своём не подозревают, что звуковая и видеоинформация считывается полупроводниковым гетеролазером. Такие лазеры используются во многих оптоэлектронных устройствах, но в первую очередь – в устройствах волоконно-оптической связи и различных телекоммуникационных систем. Нашу жизнь трудно представить без гетероструктурных светодиодов и биполярных транзисторов, без малошумящих транзисторов с высокой подвижностью электронов для высокочастотных применений, включая, в частности, системы спутникового телевидения. Вслед за лазером на гетеропереходах были созданы многие другие приборы, вплоть до преобразователей солнечной энергии.

Значение получения непрерывного режима работы лазеров на двойных гетеропереходах при комнатной температуре прежде всего связано с тем, что в это же время было создано оптическое волокно с малыми потерями. Это привело к рождению и бурному развитию волоконно-оптических систем связи. В 1971 г. эти работы были отмечены присуждением Ж.И.Алфёрову первой международной награды – золотой медали Баллантайна Франклиновского института в США. Особая ценность этой медали, как отмечал Жорес Иванович, заключается в том, что Франклиновский институт в Филадельфии присуждал медали и другим советским учёным: в 1944 г. академику П.Л.Капице, в 1974 г. академику Н.Н.Боголюбову, а в 1981 г. академику А.Д.Сахарову. Попасть в такую компанию – большая честь.

Присуждение Жоресу Ивановичу медали Баллантайна имеет предысторию, связанную с его другом. Одним из первых физтеховцев в 1963 г. в США попал Б.П.Захарченя. Он облетел почти всю Америку, встретился с такими светилами, как Ричард Фейнман, Карл Андерсон, Лео Сциллард, Джон Бардин, Уильям Фэрбэнк, Артур Шавлов. В Иллинойсском университете Б.П.Захарченя познакомился с Ником Холоньяком, создателем первого эффективного светодиода на арсениде-фосфиде галлия, излучающего свет в видимой области спектра. Ник Холоньяк – один из крупнейших американских учёных, ученик Джона Бардина, единственного в мире дважды лауреата Нобелевской премии по одной специальности (физике). Недавно он получил премию как один из основателей нового направления в науке и технике – оптоэлектроники.

Ник Холоньяк родился в США, куда ещё до Октябрьской революции эмигрировал из Галиции его отец, простой шахтёр. Он блистательно окончил Иллинойсский университет, и его имя золотой прописью занесено на специальную «Доску почёта» этого университета. Б.П.Захарченя вспоминал: «Белоснежная рубашка, галстук-бабочка, короткая стрижка по моде 60-х годов и, наконец, спортивная фигура (он поднимал штангу) делали его типичным американцем. Это впечатление ещё более укреплялось, когда Ник говорил на своём родном американском языке. Но вдруг он переходил на язык своего отца, и от американского джентльмена ничего не оставалось. Это был не русский язык, но удивительная смесь русского с русинским (близким к украинскому), сдобренная солёными шахтёрскими шуточками и крепкими крестьянскими выражениями, усвоенными от родителей. При этом профессор Холоньяк очень заразительно смеялся, на глазах превращаясь в озорного русинского парня».

В том далёком 1963 г., показывая Б.П.Захарчене под микроскопом миниатюрный светодиод, ярко сиявший зелёным, профессор Холоньяк говорил: «Подивись, Борис, на мое свитло. Нэкс тайм скажи там у вашем институте, может, кто захоче приихати сюда до Иллинойссу из ваших хлопцев. Я буду учить его робыть таки свитла».

Слева направо: Ж.И.Алфёров, Джон Бардин, В.М.Тучкевич, Ник Холоньяк (Иллинойсский университет, Урбана, 1974 г.)

Через семь лет в лабораторию к Нику Холоньяку приехал Жорес Алфёров (будучи уже знакомым с ним, – в 1967 г. Холоньяк посещал лабораторию Алфёрова в физтехе). Жорес Иванович не был тем «хлопцем», которому нужно учиться «робытъ свитла». Сам мог научить. Его приезд был очень удачным: Франклиновский институт в это время как раз присуждал очередную медаль Баллантайна за лучшие работы по физике. Лазеры были в моде, а новый гетеролазер, сулящий огромные практические перспективы, привлёк особое внимание. Конкуренты были, но публикации группы Алфёрова были первыми. Поддержка работ советских физиков такими авторитетами, как Джон Бардин и Ник Холоньяк, наверняка повлияла на решение комиссии. Очень важно в любом деле оказаться в нужном месте и в нужное время. Не окажись тогда Жорес Иванович в Штатах, не исключено, что эта медаль досталась бы конкурентам, хотя первым-то был он. Известно, что «чины людьми даются, а люди могут обмануться». В эту историю было вовлечено много американских учёных, для которых доклады Алфёрова о первом лазере на двойной гетероструктуре были полной неожиданностью.

Алфёров и Холоньяк стали близкими друзьями. В процессе разнообразных контактов (визиты, письма, семинары, телефонные разговоры), играющих важную роль в работе и жизни каждого, они регулярно обсуждают проблемы физики полупроводников и электроники, а также жизненные аспекты.

Практически казавшаяся счастливым исключением гетероструктура Al x Ga 1–x As была в дальнейшем бесконечно расширена многокомпонентными твёрдыми растворами – сначала теоретически, затем экспериментально (самый яркий пример – InGaAsP).

Космическая станция «Мир» с солнечными батареями на основе гетероструктур

Одним из первых опытов успешного применения гетероструктур в нашей стране стало использование солнечных батарей в космических исследованиях. Солнечные батареи на основе гетероструктур были созданы Ж.И.Алфёровым и сотрудниками ещё в 1970 г. Технология была передана в НПО «Квант», и солнечные элементы на основе GaAlAs устанавливались на многих отечественных спутниках. Когда американцы опубликовали свои первые работы, советские солнечные батареи уже летали на спутниках. Было развёрнуто их промышленное производство, а их 15-летняя эксплуатация на станции «Мир» блестяще доказала преимущества этих структур в космосе. И хотя прогноз резкого снижения стоимости одного ватта электрической мощности на основе полупроводниковых солнечных батарей пока не оправдался, в космосе самым эффективным источником энергии доныне безусловно являются солнечные батареи на гетероструктуpax соединений A III B V .

Препятствий на пути Жореса Алфёрова хватало. Как водится, нашим спецслужбам 70-х гг. не нравились его многочисленные заграничные премии, и его пытались не пускать за границу на международные научные конференции. Появились завистники, пытавшиеся перехватить дело и оттереть Жореса Ивановича от славы и средств, необходимых для продолжения и совершенствования эксперимента. Но его предприимчивость, молниеносная реакция и ясный ум помогали преодолевать все эти препятствия. Сопутствовала и «госпожа Удача».

1972 г. был особенно счастливым. Ж.И.Алфёрову и его ученикам-коллегам В.М.Андрееву, Д.З.Гарбузову, В.И.Королькову и Д.Н.Третьякову была присуждена Ленинская премия. К сожалению, в силу сугубо формальных обстоятельств и министерских игр этой вполне заслуженной награды были лишены Р.Ф.Казаринов и Е.Л.Портной. В том же году Ж.И.Алфёров был избран в Академию наук СССР.

В день присуждения Ленинской премии Ж.И.Алфёров был в Москве и позвонил домой, чтобы сообщить об этом радостном событии, но телефон не отвечал. Он позвонил родителям (с 1963 г. они жили в Ленинграде) и радостно сообщил отцу, что его сын – лауреат Ленинской премии, а в ответ услышал: «Что твоя Ленинская премия? У нас внук родился!» Рождение Вани Алфёрова было, безусловно, самой большой радостью 1972 г.

Дальнейшее развитие полупроводниковых лазеров было связано также с созданием лазера с распределённой обратной связью, предложенного Ж.И.Алфёровым в 1971 г. и реализованного несколько лет спустя в ФТИ.

Идея стимулированного излучения в сверхрешётках, высказанная в это же время Р.Ф.Казариновым и Р.А.Сурисом, была реализована четверть века спустя в Bell Telephone . Исследования сверхрешёток, начатые Ж.И.Алфёровым и соавторами в 1970 г., к сожалению, бурно развивались только на Западе. Работы по квантовым ямам и короткопериодным сверхрешёткам в короткое время привели к рождению новой области квантовой физики твёрдого тела – физике низкоразмерных электронных систем. Апогеем этих работ в настоящее время являются исследования нуль-мерных структур – квантовых точек. Получили широкое признание работы в этом направлении, проводимые учениками Ж.И.Алфёрова уже второго и третьего поколений: П.С.Копьёвым, Н.Н.Леденцовым, В.М.Устиновым, С.В.Ивановым. Н.Н.Леденцов стал самым молодым членом-корреспондентом Российской академии наук.

Полупроводниковыми гетероструктурами, в особенности двойными, включая квантовые ямы, проволоки и точки, сейчас занимаются две трети исследовательских групп, работающих в области физики полупроводников.

В 1987 г. Ж.И.Алфёров был избран директором ФТИ, в 1989 г. – председателем президиума Ленинградского научного центра АН СССР, а в апреле 1990 г. – вице-президентом Академии наук СССР. Впоследствии на эти посты он был переизбран уже в Российской академии наук.

Главным для Ж.И.Алфёрова в последние годы было сохранение Академии наук как высшей и уникальной научной и образовательной структуры России. Её хотели уничтожить в 20-е гг. как «наследие тоталитарного царского режима», а в 90-е гг. – как «наследие тоталитарного советского режима». Для её сохранения Ж.И.Алфёров согласился пойти депутатом в Государственную думу последних трёх созывов. Он писал: «Ради этого великого дела мы шли иногда на компромиссы с властью, но не с совестью. Всё, что создало человечество, оно создало благодаря науке. И если уж суждено нашей стране быть великой державой, то она ею будет не благодаря ядерному оружию или западным инвестициям, не благодаря вере в Бога или в президента, а благодаря труду её народа, вере в знание, в науку, благодаря сохранению и развитию научного потенциала и образования». Телевизионные трансляции заседаний Государственной думы неоднократно свидетельствовали о недюжинном общественно-политическом темпераменте и горячей заинтересованности Ж.И.Алфёрова в процветании страны в целом и науки в частности.

Среди других научных наград Ж.И.Алфёрова отметим Хьюлет-Паккардовскую премию Европейского физического общества, Государственную премию СССР, медаль Велькера; премию Карпинского, учреждённую в ФРГ. Ж.И.Алфёров – действительный член Российской академии наук, иностранный член Национальной инженерной академии и Академии наук США, член многих других зарубежных академий.

Будучи вице-президентом Академии наук и депутатом Государственной думы, Ж.И.Алфёров не забывает, что как учёный он вырос в стенах знаменитого Физико-технического института, основанного в Петрограде в 1918 г. выдающимся российским физиком и организатором науки Абрамом Фёдоровичем Иоффе. Этот институт дал физической науке яркое созвездие всемирно известных учёных. Именно в Физтехе Н.Н.Семёновым были проведены исследования цепных реакций, удостоенные впоследствии Нобелевской премии. Здесь работали выдающиеся физики И.В.Курчатов, А.П.Александров, Ю.Б.Харитон и Б.П.Константинов, вклад которых в решение атомной проблемы в нашей стране невозможно переоценить. В Физтехе начинали свою научную деятельность талантливейшие экспериментаторы – нобелевский лауреат П.Л.Капица и Г.В.Курдюмов, физики-теоретики редчайшего дарования – Г.А.Годов, Я.Б.Зельдович и нобелевский лауреат Л.Д.Ландау. Название института всегда будет ассоциироваться с именами одного из основателей современной теории конденсированного состояния Я.И.Френкеля, блестящих экспериментаторов Е.Ф.Гросса и В.М.Тучкевича (на протяжении многих лет возглавлявшего институт).

Ж.И.Алфёров по мере сил содействует развитию Физтеха. При ФТИ была открыта Физико-техническая школа и продолжен процесс создания на базе института специализированных учебных кафедр. (Первая кафедра такого рода – кафедра оптоэлектроники – была создана в ЛЭТИ ещё в 1973 г.) На основе уже существующей и вновь организованных базовых кафедр в Политехническом институте в 1988 г. был создан физико-технический факультет. Развитие академической системы образования в Санкт-Петербурге выразилось в создании медицинского факультета в Университете и комплексного Научно-образовательного центра ФТИ, объединившего школьников, студентов и учёных в одном прекрасном здании, которое можно с полным правом назвать Дворцом знаний. Используя возможности Государственной думы для широкого общения с влиятельными людьми, Ж.И.Алфёров «выбивал» деньги на создание Научно-образовательного центра из каждого премьер-министра (а они так часто меняются). Первый, наиболее существенный взнос сделал В.С.Черномырдин. Теперь огромное здание этого центра, построенного турецкими рабочими, красуется недалеко от Физтеха, наглядно показывая, на что способен предприимчивый человек, одержимый благородной идеей.

С детства Жорес Иванович приучен к выступлениям перед широкой аудиторией. Б.П.Захарченя вспоминает его рассказы о шумном успехе, который он снискал, читая с эстрады чуть ли не в дошкольном возрасте рассказ М.Зощенко «Аристократка»: «Я, братцы мои, не люблю баб, которые в шляпках. Ежели баба в шляпке, ежели чулочки на ней фильдекосовые...»

Десятилетним мальчиком Жорес Алфёров прочитал замечательную книгу Вениамина Каверина «Два капитана» и всю последующую жизнь следует принципу её главного героя Сани Григорьева: «Бороться и искать, найти и не сдаваться!»

Кто он – «вольный» или «свободный»?

Шведский король вручает Ж.И.Алфёрову Нобелевскую премию

Составил
В.В.РАНДОШКИН

по материалам:

Алфёров Ж.И. Физика и жизнь. – СПб.: Наука, 2000.

Алфёров Ж.И. Двойные гетероструктуры: Концепция и применения в физике, электронике и технологии. – Успехи физических наук, 2002, т. 172, № 9.

Наука и человечество. Международный ежегодник. – М., 1976.

В лице Жореса Алферова наука получила поистине неоценимого человека, что доказывают его многочисленные награды и статусы. В настоящее время он имеет Нобелевскую премию, государственные награды Советского Союза и России, состоит в числе академиков РАН и является вице-президентом этой организации. Ранее ему была присуждена Ленинская премия. Алферов получил статус почетного гражданина многих населенных пунктов, включая российские, белорусские и даже город в Венесуэле. Он состоит в Госдуме, занимается наукой и вопросами образования.

Чем известен?

Академик Жорес Алферов, как говорят некоторые, совершил революцию в современной науке. Всего под его авторством вышло более полутысячи научных работ, порядка полусотни разработок, открытий, признанных прорывом в своей области. Благодаря ему стала возможна новая электроника - Алферов буквально создал принципы науки с нуля. Во многом именно благодаря сделанным им открытиям мы имеем ту телефонию, сотовую связь, спутники, которыми располагает человечество. Открытия Алферова обеспечили нас оптоволокном и светодиодами. Фотоника, скоростная электроника, энергетика, связанная с солнечным светом, эффективные методы экономичного расходования энергии - все это обусловлено использованием разработок Алферова.

Как известно из биографии Жореса Алферова, этот человек внес уникальный вклад в развитие цивилизации, и его достижения применяются всеми и каждым - от считывающих штрих-коды аппаратов в магазине до сложнейших устройств спутниковой связи. Перечислить все объекты, построенные с использованием наработок этого физика, просто невозможно. Можно смело говорить, что преимущественный процент жителей нашей планеты в той или иной степени пользуется открытиями Алферова. Всякий мобильный оснащен полупроводниками, которые он разработал. Без лазера, над которым он трудился, не существовало бы проигрывателей компакт-дисков, компьютеры не могли бы считывать информацию через дисковод.

Такой многосторонний

Как рассказывает биография Жореса Алферова, работы этого человека были признаны на мировом уровне, стали исключительно известными, как и он сам. Многочисленные монографии, учебники написаны с применением базовых принципов и достижений ученого. Сегодня он продолжает активно трудится, работает в сфере науки, исследовательских задач, преподает, ведет активную просветительскую деятельность. Одна из целей, выбранных себе Алферовым, - работа в направлении увеличения престижа российской физики.

Как все начиналось

Хотя для всех гениальный физик - русский, национальность Жореса Алферова - белорус. Он увидел свет в белорусском городе Витебске в 30-м году, весной - 15 марта. Отца звали Иваном, мать - Анной. Позднее физик женится на Тамаре, у него появится двое детей. Сын председательствует в управленческой структуре фонда, названного именем отца, а дочь работает в отвечающей за имущество администрации СПб НЦ РАН в должности главного специалиста.

Отец ученого был из Чашников, его мать - из Крайска. Будучи восемнадцатилетним, Иван впервые прибыл в Петербург в 1912, устроился грузчиком, трудился фабричным работником, затем перешел на завод. В период Первой всемирной войны получил статус унтер-офицера, в 17-м присоединился к большевикам, до самой смерти не отступал от идеалов своих юных лет. Потом, когда произойдут изменения в государстве, Жорес Алферов скажет, что его родителям посчастливилось не увидеть 94-й. Известно, что отец физика в период гражданской войны контактировал с Лениным, Троцким. После 35-го ему довелось быть заводским управленцем, начальствовать над трестом. Он зарекомендовал себя порядочным мужчиной, не терпящим пустого осуждения и клеветы. В жены он выбрал себе разумную, спокойную, мудрую женщину. Качества ее характера во многом передадутся сыну. Анна трудилась в библиотеке и тоже искренне верила в идеалы революции. Это заметно, между прочим, по имени ученого: в тот период было модно выбирать для детей имена, связанные с революцией, и Алферовы назвали первого ребенком Марксом, а второму дали имя в честь Жана Жореса, прославившегося своими деяниями в период революции во Франции.

Жизнь идет своим чередом

В те годы Жорес Алферов, как и его брат Маркс, были объектами пристального внимания окружающих. От детей директора ждали показательного поведения, лучших оценок, безупречной общественной активности. В 41-м Маркс окончил школу, поступил в вуз, спустя считанные недели отправился на фронт, где был тяжело ранен. В 43-м три дня удалось провести рядом с близкими - после госпиталя юноша решил вновь вернуться на защиту отечества. До конца войны дожить ему не посчастливилось, молодой человек погиб в Корсунь-Шевченковской операции. В 1956 г. младший брат отправится на поиски могилы, встретит в украинской столице Захарченю, с которым затем сдружится. Они отправятся на поиски вместе, найдут деревушку Хильки, найдут братскую могилу, заросшую сорняками с редкими вкраплениями незабудок и ноготков.

Взирающий со сделанных в последние годы фото Жорес Алферов - уверенный, опытный, мудрый человек. Эти качества, во многом полученные от матери, он взращивал в себе на протяжении всей своей непростой жизни. Известно, что в Минске молодой человек обучался в единственной школе, которая тогда работала. Ему повезло учиться у Мельцерзона. Специального кабинета для занятия физикой не было, и все же учитель приложил все силы к тому, чтобы каждый из его слушателей полюбил предмет. Хотя в целом, как потом будет вспоминать нобелевский лауреат, класс был неспокойным, на уроках физика все сидели, затаив дыхание.

Первое знакомство - первая любовь

Уже тогда, получая свое первое образование, Жорес Алферов смог познать и понять чудеса физики. Будучи школьником, от учителя он узнал, как работает осциллограф на катодах, получил общие представления о радиолокационных принципах и определил для себя будущий жизненный путь - он понял, что свяжет его именно с физикой. Было решено отправиться поступать в ЛЭТИ. Как он потом признает, юноше повезло с научным руководителем. Будучи третьекурсником, он выбрал для себя вакуумную лабораторию, начал экспериментировать под контролем Созиной, не так давно успешно защитившей диссертацию, посвященную инфракрасным полупроводниковым локаторам. Именно тогда он тесно познакомился с проводниками, которые вскоре станут центром и основным делом всей его научной карьеры.

Как вспоминает сейчас Жорес Алферов, первой прочитанной им физической монографией была «Электропроводность полупроводников». Издание было создано в период, когда Ленинград оккупировали немецкие войска. Распределение в 1952 г., начинавшееся с мечты о Физтехе, которым руководил Иоффе, дало ему новые шансы. Вакансий было три, на одну из них выбрали перспективного молодого человека. Потом он скажет, что это распределение во многом определило его будущее, а вместе с тем - будущее нашей цивилизации. Правда, в это время молодой Жорес еще не знал, что всего лишь за пару месяцев до его прихода Иоффе заставили уйти из учебного заведения, которым он руководил вот уже три десятилетия.

Развитие науки

Жорес Алферов всю жизнь ярко помнит свой первый день в вузе мечты. Это был предпоследний январский день 53-го. В качестве научного руководителя ему достался Тучкевич. Группа ученых, в которую попал Алферов, должна была разработать диоды из германия, транзисторы, причем сделать это полностью самостоятельно, не прибегая к иностранным наработкам. В том году институт был довольно мал, Жоресу выдали пропуск под номером 429 - именно столько человек работало здесь. Так сложилось, что многие как раз незадолго до этого разъехались. Кто-то устроился в центры, посвященные атомной энергетике, кто-то уехал непосредственно к Курчатову. Алферов потом будет часто вспоминать первый семинар, на который он попал на новом месте. Он выслушал доклад Гросса, его потрясло нахождение в одной аудитории с людьми, открывающими что-то новое в области, с которой он едва начал знакомиться ближе. Заполняемый тогда лабораторный журнал, в который 5 марта был вписан факт удачно сконструированного p-n-p-транзистора, Алферов и по сей день хранит как важный артефакт.

Как говорят современные ученые, остается лишь удивляться тому, как Жорес Алферов и его немногочисленные коллеги, преимущественно столь же молодые, как и он, пусть и руководимые опытным Тучкевичем, смогли достичь таких значимых достижений в короткие сроки. Всего за несколько месяцев были заложены базы транзисторной электроники, сформирован фундамент методологии, технологии в этой области.

Новые времена - новые цели

Коллектив, в котором работал Жорес Алферов, постепенно становился все многочисленнее, вскоре удалось разработать силовые выпрямители - первые на территории СССР, батареи из кремния, улавливающие солнечную энергию, а также изучены особенности активности кремниевых, германиевых примесей. В 1958 г. поступила просьба: необходимо было создать полупроводники для обеспечения работы подлодки. Такие условия требовали принципиально отличного от уже известных решения. Алферов получил личный звонок от Устинова, после чего на пару месяцев буквально переехал в лабораторию, чтобы не тратить время и не отвлекаться от работы на бытовые мелочи. Задачу решили в кратчайшие сроки, в октябре того же года подводная лодка была оснащена всем необходимым. За работу научный сотрудник получил орден, который и сегодня считает одной из ценнейших наград за свою жизнь.

1961 г. был отмечен защитой кандидатской, в которой Жорес Алферов исследовал выпрямители из германия, кремния. Работа стала фундаментом полупроводниковой советской электроники. Если первое время он был одним из немногих ученых, придерживавшихся мнения, что будущее за гетероструктурами, к 1968 г. появились сильные американские конкуренты.

Жизнь: любовь не только к физике

В 1967 г. удалось получить направление в командировку в Англию. Основной задачей было обсудить физическую теорию, которую английские физики того времени считали бесперспективной. Одновременно молодой физик приобрел свадебные подарки: уже тогда личная жизнь Жореса Алферова позволяла предположить стабильное будущее. Как только он вернулся домой, сыграли свадьбу. Женой ученый выбрал дочь актера Дарского. Потом он скажет, что в девушке невероятно сочетались красота, ум и душевность. Тамара работала в Химках, на предприятии, занимавшемся в сфере освоения космоса. Заработная плата Жореса была достаточно велика, чтобы раз в неделю летать к жене, а спустя полгода женщина перебралась в Ленинград.

Пока семья Жореса Алферова была рядом, его группа работала над идеями, связанными с гетероструктурами. Сложилось так, что за период 68-69 гг. удалось реализовать большинство перспективных идей контроля потоков света и электронов. Качества, указывающие на преимущества гетероструктур, стали очевидны даже для тех, кто сомневался. Одним из основных достижений было признано формирование лазера на сдвоенной гетероструктуре, функционирующего при комнатной температуре. Фундаментом установки стала структура, разработанная Алферовым в 1963-м.

Новые открытия и новые успехи

1969-й стал годом проведения Ньюаркской конференции, посвященной люминесценции. Доклад Алферова по эффекту можно было сравнить с внезапным взрывом. 70-71-й гг. были отмечены полугодовым пребыванием на территории Америки: Жорес трудился в Иллинойском университете в команде с Холоньяком, с которым тогда же близко сдружился. В 1971 г. ученый впервые получил награду междугородного уровня - имени Баллантайна. Институт, от имени которого была вручена эта медаль, ранее отметил ею Капице, Сахарова, и оказаться в списке медалистов для Алферова стало не просто комплиментом и признанием его заслуг, но действительно большой честью.

В 1970 советские ученые собрали первые солнечные батареи, применимые для космических установок, ориентируясь на работы Алферова. Технологии передали предприятию «Квант», применили для потокового производства, и вскоре удалось выпустить достаточно много солнечных элементов - на них строили спутники. Производство организовали в промышленном масштабе, а многочисленные преимущества технологии были доказаны длительным использованием в условиях космоса. Альтернатив, сравнимых по эффективности, для космического пространства нет и по сей день.

Плюсы и минусы популярности

Хотя в те времена про государство Жорес Алферов практически не говорил, специальные службы 70-х относились к нему с большим подозрением. Причина была очевидна - многочисленные премии. Ему пытались закрыть выезд из страны. Тогда же появились ненавистники, завистники. Впрочем, природная предприимчивость, способность быстро и адекватно реагировать, ясный ум позволили ученому блестяще справиться со всеми препонами. Не оставляла его и удача. Одним из самых счастливых в своей жизни Алферов признает 1972 г. Он получил ленинскую премию, а когда попытался дозвониться жене, чтобы сообщить об этом, трубку никто не взял. Позвонив родителям, ученый узнал, что премии премиями, но тем временем у него родился сын.

С 1987 г. Алферов руководил институтом Иоффе, в 89-м вошел в президиум ЛНЦ АН СССР, следующей ступенью стала Академия наук. Когда сменилась власть, а вместе с ней наименование учреждений, Алферов сохранил свои посты - на все он был избран вновь при абсолютном согласии большинства. В начале 90-х он сконцентрировался на наноструктурах: квантовых точках, проволочках, затем воплотил в реальность идею гетеролазера. Такой впервые был продемонстрирован публике в 95-м. Еще спустя пять лет ученый получил Нобелевскую премию.

Новые дни и новые технологии

О том, где сейчас Жорес Алферов трудится и живет, знают многие: этот Нобелевский лауреат в области физики - единственный проживающий на территории России. Он руководит «Сколково» и занимается рядом значимых проектов в области физики, поддерживает талантливую, перспективную молодежь. Именно он первый начал говорить о том, что информационные системы наших дней обязаны быть быстрыми, позволяющими передавать объемные сведения за короткие сроки, и одновременно небольшими, мобильными. Во многом возможность конструирования подобной техники обусловлена именно открытиями Алферова. Его работы и труды Кремера стали базой микроэлектроники, оптоволоконных компонентов, используемых при конструировании гетероструктур. Они, в свою очередь, являются фундаментом создания светоизлучающих диодов повышенного уровня эффективности. Их применяют при изготовлении дисплеев, ламп, используют при конструировании светофоров и осветительных систем. Батареи, создание для улавливания и преобразования солнечной энергии, в последние годы становятся все более эффективными в аспекте трансформации энергии в электричество.

2003 г. был для Алферова последним годом руководства ФТИ: мужчина достиг предельного разрешенного правилами учреждения возраста. Еще три года за ним сохранялось место научного руководителя, он же председательствовал в организованном при институте совете ученых.

Одним из важных достижений Алферова признается Академический университет, появившийся по его инициативе. В наши дни это учреждение сформировано тремя элементами: нанотехнологическим, общеобразовательным центром и девятью кафедрами высшего образования. В школу принимают с восьмого класса и только особенно одаренных детей. Алферов возглавляет университет, занимает пост ректора с первых дней существования учреждения.

15 марта исполняется 80 лет Жоресу Алферову, вице-президенту Российской академии наук, лауреату Нобелевской премии по физике.

Жорес Иванович Алферов родился 15 марта 1930 г . в Витебске (Белоруссия).

В 1952 г. окончил факультет электронной техники Ленинградского электротехнического института имени В. И. Ульянова (ЛЭТИ) (в настоящее время - Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина) (СПбГЭТУ).

С 1953 г. Жорес Алферов работает в Физико-Техническом Институте имени А. Ф. Иоффе, с 1987 г. - в качестве директора.

Принимал участие в разработке первых отечественных транзисторов и силовых германиевых приборов.

В 1970 г. Жорес Алферов защитил диссертацию, обобщив новый этап исследований гетеропереходов в полупроводниках, и получил степень доктора физико-математических наук. В 1972 г. Алферов стал профессором, а через год - заведующим базовой кафедрой оптоэлектроники ЛЭТИ.

С начала 1990-х гг. Алферов занимался исследованием свойств наноструктур пониженной размерности: квантовых проволок и квантовых точек. С 1987 г. по май 2003 г. - директор СПбГЭТУ, с мая 2003 г. по июль 2006 г. - научный руководитель.

Исследования Жореса Алферова заложили основы принципиально новой электроники на основе гетероструктур с очень широким диапазоном применения, известной сегодня как «зонная инженерия».

В лаборатории Алферова была разработана промышленная технология создания полупроводников на гетероструктурах. Первый непрерывный лазер на гетеропереходах был создан тоже в России. Эта же лаборатория по праву гордится разработкой и созданием солнечных батарей, успешно примененных в 1986 г. на космической станции "Мир": батареи проработали весь срок эксплуатации до 2001 г. без заметного снижения мощности.

Жорес Алферов многие годы сочетает научные исследования с преподаванием. С 1973 г. он заведует базовой кафедрой оптоэлектроники ЛЭТИ, с 1988 г. - декан физико-технического факультета Санкт-Петербургского государственного технического университета.

Научный авторитет Алферова чрезвычайно высок. В 1972 г. он был избран членом-корреспондентом Академии наук СССР, в 1979 г. - ее действительным членом, в 1990 г. - вице-президентом Российской академии наук и Президентом Санкт-Петербургского научного центра РАН.

Его работы получили широкую известность и мировое признание, вошли в учебники. Он автор более 500 научных работ, в том числе трех монографий и более 50 изобретений.

С 1989 г. по 1992 г. Жорес Алферов был народным депутатом СССР, с 1995 г. - депутат Государственной Думы второго, третьего, четвертого и пятого созывов (фракция КПРФ).

В 2002 г. Алферов стал инициатором учреждения премии «Глобальная энергия» (учередители ОАО "Газпром", РАО "ЕЭС России", НК "ЮКОС" и ОАО «Сургутнефтегаз»). До 2006 г. возглавлял Международный комитет по присуждению премии «Глобальная энергия».

С 2003 г. Жорес Алферов - председатель Научно-образовательного комплекса «Санкт-Петербургский физико-технический научно-образовательный центр» РАН.

Алферов - почетный доктор многих университетов и почетный член многих академий.

Награжден Золотой медалью Баллантайна (1971) Франклиновского института (США), Хьюлет-Паккардовской премией Европейского физического общества (1972), медалью Х.Велькера (1987), премией А.П.Карпинского и премией А.Ф.Иоффе Российской академии наук, Общенациональной неправительственной Демидовской премией РФ (1999), премией Киото за передовые достижения в области электроники (2001).

В 2000 г. Алферов получил Нобелевскую премию по физике "за достижения в электронике" совместно с американцами Джеком Килби и Гербертом Кремером. Кремер, как и Алферов, получил награду за разработку полупроводниковых гетероструктур и создание быстрых опто- и микроэлектронных компонентов (Алферов и Кремер получили половину денежной премии), а Килби - за разработку идеологии и технологии создания микрочипов (вторую половину).

В 2002 г. за работу "Фундаментальные исследования процессов формирования и свойств гетероструктур с квантовыми точками и создание лазеров на их основе" Жорес Алферов и команда ученых, работающих вместе с ним, были удостоены Государственной премии.

Жорес Алферов награжден орденами Ленина, Октябрьской Революции, Трудового Красного Знамени, Знаком Почета "3a заслуги перед Отечеством" III и II степени, медалями СССР и Российской Федерации.

В феврале 2001 г. Алферов учредил Фонд поддержки образования и науки для поддержки талантливой учащейся молодежи, содействия ее профессиональному росту, поощрения творческой активности в проведении научных исследований в приоритетных областях науки. Первый вклад в Фонд был сделан Жоресом Алферовым из средств Нобелевской премии.

Материал подготовлен на основе информации открытых источников